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Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California

  1. Investigación
  3. Personal Académico
Datos Personales
Nombre:
Reynoso Hernández J. Apolinar
Categoría:
INVESTIGADOR TITULAR
SNI:
INVESTIGADOR II
Departamento:
DEPARTAMENTO DE ELECTRÓNICA Y TELECOMUNICACIONES
División:
DIVISIÓN DE FÍSICA APLICADA
Correo:
apolinar@cicese.mx
Extensión:
25312
Proyectos
Investigación sobre Diseño de Amplificadores de Potencia basado en Mediciones de Load-pull.
Laboratorios
Laboratorio de Radiofrecuencias y Microondas
Hay 64 publicaciones.

Año

Autores / Publicación

1995

Aceves Mijares, M., Falcony, C., Reynoso Hernández, J. A., Calleja, W., & Torres, A. (1995). The conduction properties of the silicon/off-stoichiometry-SiO2 diode. Solid-State Electronics, 39(5), 637-644. (ID: 839)

1995

Reynoso Hernández, J. A., Escotte, L., Plana, R., & Graffeuil, J. (1995). Deep level characterisation in GaAs FETs by means of the frequency dispersion of the output impedance. Electronics Letters, 31(8), 677-678. (ID: 1920)

1992

Reynoso Hernández, J. A. (1992). Comments on "A self-backgating GaAs MESFET model for low-frequency anomalies". IEEE Transactions on Electron Devices, 39(3), 750. (ID: 5783)

1989

Reynoso Hernández, J. A., & Graffeuil, J. (1989). Output conductance frecuency dispersion and low-frecuency noise in HEMTS's and MESFET's. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 37(9), 1478-1481. (ID: 9458)